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功能:

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描述:

商品說明

創見2GB DDR2 Memory 200Pin SO-DIMM DDR2-800 Unbuffer Non-ECC Memory

產品型號:TS256MSQ64V8U

創見全系列DDR2-800記憶體模組皆遵從JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的規範，提供極致的效能表現。1.8伏特的低工作電壓可節省約50﹪的耗電量，採用先進的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封裝提供更佳的散熱性能和更好的電氣特性，並運用ODT（On-Die Termination）技術可降低高速運作下記憶體信號的回授，進而提高記憶體時脈的極限值。

創見DDR2高速記憶體模組通過Intel之PMO（Platform Memory Organization）認證。PMO測試主要著重於記憶體模組在Intel平台上的相容性與穩定度，其測試結果為Intel晶片組使用者在選購上的重要參考資料。創見秉持一貫之理念，提供消費者優質的服務、高品質的產品，毫無疑問的，創見DDR2記憶體模組在Intel系統上有著極為優越的表現。

產品特色:

記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固?

商品規格

記憶體類型： DDR2 Memory
針腳及模組： 200Pin SO-DIMM
頻率： DDR2-800
功能： Unbuffer Non-ECC Memory
容量： 2GB
顆粒： 128Mx8
電壓： 1.8 V
ＣＬ值： 6

資料來源：創見

※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同，以實際商品顏色為準
※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。

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發問:

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